1月26日，普冉半导体(上海)股份有限公司（以下简称“ 普冉股份”或“公司”）首发申请获上交所上市委员会通过，将于上交所科创板上市。公司首次公开发行的股票不超过 905.72万股，占发行后总股本的 25.00%。据招股书显示，普冉股份拟募集资金34545.20万元，此次募集的资金将用于EEPROM芯片升级研发及产业化、闪存芯片升级研发及产业化、总部基地及前沿技术研发等项目。

公开资料显示，普冉股份成立于2016年，总部位于上海市，主营业务是非易失性存储器芯片的设计与销售，目前主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片，属于通用型芯片，可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。

普冉股份作为国内主要的存储器芯片设计公司之一，致力于成为业界领先的存储器芯片 提供商，目前已逐渐形成以NOR Flash和EEPROM存储器芯片为主的产品矩阵。普冉股份的NOR Flash和EEPROM产品，凭借低功耗和高可靠性等特点受到了市场及行业的广泛认可，近年来业务收入保持快速增长趋势，现已成为国内重要的存储器芯片提供商之一。经过多年的发展和积淀，凭借低功耗、高可靠性等产品优势，普冉股份已成为国内重要存储器芯片供应商之一，得到了客户的广泛认可。

普冉股份基于自有知识产权和研发设计平台，在NOR Flash 和EEPROM领域都具有优秀的设计能力，是目前市场上少数能够利用SONOS工艺平台完成NOR Flash存储器芯片的研发设计的企业之一。普冉股份能够为客户提供具备超低功耗、快速读写的系列化NOR Flash芯片产品和具备高可靠性的系列化EEPROM产品。

未来，普冉股份将专注于集成电路设计领域的科技创新，围绕非易失存储器领域，以NOR Flash和EEPROM为核心，不断满足客户对高性能存储器芯片的需求，在持续经营中实现企业的技术积累，保障公司经营业务的可持续发展。